发布时间:2024-09-18
中国科学院上海微系统与信息技术研究所狄增峰团队近日在国际学术期刊《自然》上发表论文,宣布成功开发出一种新型单晶氧化铝栅介质材料——“人造蓝宝石”。这种材料厚度仅为1纳米,却能有效阻止电流泄漏,为开发低功耗芯片提供了重要的技术支撑。
人造蓝宝石的突破性在于其卓越的绝缘性能。传统氧化铝材料在极薄层面上往往因无序结构而面临绝缘性能下降的挑战。相比之下,人造蓝宝石凭借其独特的单晶结构,不仅提升了电子迁移率,还大幅降低了电流泄漏率,确保了电子在传输过程中的高度稳定性。狄增峰研究员指出:“以前的介质材料主要是用非晶的材料来做,我们这次发明主要是发明了晶体的介质材料,通过插层氧化的技术对单晶铝进行氧化,实现了单晶氧化铝作为介质材料,它在1纳米下能够实现非常低的泄漏电流。”
制备人造蓝宝石的过程堪称精密。研究团队首先以锗基石墨烯晶圆作为预沉积衬底生长单晶金属铝,利用石墨烯与单晶金属铝之间较弱的范德华作用力,实现4英寸单晶金属铝晶圆无损剥离。剥离后单晶金属铝表面呈现无缺陷的原子级平整。随后,在极低的氧气氛围下,氧原子逐层嵌入单晶金属铝表面的晶格中,最终得到稳定、化学计量比准确、原子级厚度均匀的氧化铝薄膜晶圆。
这项技术突破对多个领域具有深远影响。首先,它有望显著提升智能手机的电池续航能力。其次,在人工智能、物联网等对低功耗有高要求的领域,人造蓝宝石的应用将为相关芯片的发展提供有力支持。狄增峰团队已成功以单晶氧化铝为栅介质材料制备出低功耗的晶体管阵列,其性能一致性良好,各项指标均满足国际器件与系统路线图对未来低功耗芯片的要求。
人造蓝宝石的开发不仅展示了我国在高端芯片材料研发领域的实力,也为二维集成电路的发展注入了新活力。随着技术的不断成熟和优化,人造蓝宝石有望成为芯片制造中不可或缺的关键材料,引领微电子产业迈向新的高度。这项成果的发表,标志着我国在半导体材料领域的研究又向前迈进了一大步,为未来芯片技术的发展开辟了新的可能性。